自作PC「歴代メモリ(SDRAM/SGRAM/HBM)一覧」のご紹介
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自作PC「歴代メモリ(SDRAM/SGRAM/HBM)一覧」のご紹介
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| ダイナミック ランダム アクセス メモリ(DRAM)一覧 | |
| 非同期 | FPM DRAM EDO DRAM |
| 同期 | SDRAM DDR SDRAM （DDR2 DDR3 DDR4 DDR5） LPDDR (モバイルDDR) Fast Cycle DRAM (FCRAM) eDRAM RLDRAM HBM （HBM2 HBM2E HBM3 HBM-PIM HBM3E） Hybrid Memory Cube |
| グラフィックス | VRAM WRAM MDRAM SGRAM GDDR（GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5 GDDR6 GDDR7） |
| Rambus | RDRAM XDR DRAM XDR2 DRAM |
| メモリモジュール | SIMM DIMM UniDIMM CAMM |
「歴代メモリ(SDRAM：1992~2018年)一覧」のご紹介
自作PC「歴代メモリ(SDRAM：1992~2018年)一覧」をご紹介します。
SDRAM DIMM（Synchronous DRAM DIMM）エスディーラムディムとは
メモリチップにSDRAMを使用したDIMMのこと。PCのメインメモリに使われているDRAMは、微細なコンデンサの充放電で読み書きを行なう単純な構造であるため、低価格大容量化に適していますが、読み書きのスピードが非常に遅いのが欠点。
そこで、メモリセルに対して連続するデータをまとめて読み書きし、メモリバス上へまとまったデータを連続転送することでDRAMの本質的な欠点を補っています。SDRAMはこうしたバスの高速化技術を採り入れたチップの一つ。連続データをクロック信号に同期して高速に転送します。
SDRAM DIMMは、SDRAMを使ったメモリモジュール(メモリボード)の規格の一つ。一般に用いられるカードエッジ式(基板の一辺が接続端子を兼ねたタイプ)の基板上にメモリチップが実装されています。
リンク
「DualIn-line」は、基板の裏表の端子がそれぞれ独立した2列のエッジコネクタであることを指します。
| SDRAM(Synchronous dynamic random-access memory )一覧のご紹介 | ||||||
| 導入日 | SDRAM の種類 |
容量 (ビット) |
プロセス | チップ名 | メーカー | MOSFET |
| 1992年 | SDR | 16Mbit | KM48SL2000 | サムスン | CMOS | |
|
1996年
|
RDRAM | 18Mbit | MSM5718C50 | ・ | CMOS | |
| RDRAM | 36Mbit | N64 RDRAM | NEC | CMOS | ||
| SDR | 1024Mbit | 150nm | 三菱 | CMOS | ||
| 1997年 | SDR | 1024Mbit | ヒュンダイ | SOI | ||
| 1998年 | RDRAM | 64Mbit | MD5764802 | Oki | CMOS | |
| 1998年3月 | RDRAM | 72Mbit | ダイレクトRDRAM | ランバス | CMOS | |
| 1998年6月 | DDR | 64Mbit | サムスン | CMOS | ||
|
1998年
|
DDR | 64Mbit | ヒュンダイ | CMOS | ||
| SDR | 128Mbit | サムスン | CMOS | |||
|
1999年
|
DDR | 128Mbit | サムスン | CMOS | ||
| DDR | 1024Mbit | 140nm | サムスン | CMOS | ||
| 2000年 | eDRAM | 32Mbit | 180nm | GS eDRAM | ソニー、東芝 | CMOS |
|
2001年
|
RDRAM | 288Mbit | ハイニックス | CMOS | ||
| DDR2 | 100nm | サムスン | CMOS | |||
| 2002年 | SDR | 256Mbit | ハイニックス | CMOS | ||
|
2003年
|
eDRAM | 32Mbit | 90nm | EE+GS eDRAM | ソニー、東芝 | CMOS |
| DDR3 | 72Mbit | 90nm | サムスン | CMOS | ||
| DDR2 | 512Mbit | ハイニックス | CMOS | |||
| 110nm | エルピーダ | CMOS | ||||
| DDR2 | 1024メガビット | ハイニックス | CMOS | |||
| 2004年 | DDR2 | 2048Mbit | 80nm | サムスン | CMOS | |
|
2005年
|
eDRAM | 32Mbit | 65nm | EE+GS eDRAM | ソニー、東芝 | CMOS |
| eDRAM | 80Mbit | 90nm | Xenos eDRAM | NEC | CMOS | |
| DDR3 | 512Mbit | 80nm | サムスン | CMOS | ||
| 2006年 | DDR2 | 1024Mbit | 60nm | ハイニックス |
CMOS
|
|
| 2008年 | LPDDR2 | ハイニックス | ||||
| 2008年 | DDR3 | 8192Mbit | 50nm | サムスン | CMOS | |
| 2008年 | DDR3 | 16384Mbit | 50nm | サムスン | CMOS | |
|
2009年
|
DDR3 | 44nm | ハイニックス |
CMOS
|
||
| DDR3 | 2048Mbit | 40nm | ハイニックス | |||
|
2011年
|
DDR3 | 16384Mbit | 40nm | ハイニックス | CMOS | |
| DDR4 | 2048Mbit | 30nm | ハイニックス | CMOS | ||
| 2013年 | LPDDR4 | 20nm | サムスン | CMOS | ||
| 2014年 | LPDDR4 | 8192Mbit | 20nm | サムスン | CMOS | |
| 2015年 | LPDDR4 | 12Gbit | 20nm | サムスン | CMOS | |
|
2018年
|
LPDDR5 | 8192Mbit | 10nm | サムスン | FinFET | |
| DDR4 | 128Gbit | 10nm | サムスン | FinFET | ||
自作PC「歴代メモリ(SGRAM/HBM)一覧」のご紹介
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GDDR（Graphics Double Data Rate）ジーディーディーアールとは
グラフィックス(ビデオカード)用のDDRメモリ。最新の規格はGDDR6。
リンク
| SGRAM/HBM 一覧のご紹介 | |||||||
| 導入日 | SDRAMの種類 | 容量 (ビット) |
チップ名 | メーカー | プロセス | MOSFET | エリア |
| 1994 年 11 月 | SGRAM ( SDR ) | 8Mbit | HM5283206 | 日立 | 350nm | CMOS | 58mm2 _ |
| 1994年12月 | Sグラム(SDR) | 8Mbit | μPD481850 | NEC | CMOS | 280mm2 _ | |
| 1997年 | Sグラム(SDR) | 16Mbit | μPD4811650 | NEC | 350nm | CMOS | 280mm2 _ |
| 1998 年 9 月 | SGRAM ( GDDR ) | 16Mbit | サムスン | CMOS | |||
| 1999年 | Sグラム(SDR) | 32Mbit | KM4132G112 | サムスン | CMOS | ||
| 2002年 | SGRAM ( GDDR2 ) | 128Mbit | サムスン | CMOS | |||
|
2003年
|
SGRAM (GDDR2) |
256Mbit
|
サムスン
|
CMOS
|
|||
| SGRAM ( GDDR3 ) | |||||||
| 2005 年 3 月 | SGRAM (GDDR) | 256Mbit | K4D553238F | サムスン | CMOS | 77mm2 _ | |
| 2005 年 10 月 | SGRAM ( GDDR4 ) | 256Mbit | サムスン | CMOS | |||
| 2005年 | SGRAM (GDDR4) | 512Mbit | ハイニックス |
CMOS
|
|||
| 2007年 | SGRAM ( GDDR5 ) | 1024Mbit | ハイニックス | 60nm | |||
| 2009年 | SGRAM (GDDR5) | 2048Mbit | ハイニックス | 40nm | |||
| 2010年 | SGRAM (GDDR3) | 1024Mbit | K4W1G1646G | サムスン | CMOS | 100mm2 _ | |
| 2012年 | SGRAM (GDDR3) | 4096Mbit |
SKハイニックス
|
CMOS
|
|||
| 2013年 | HBM | ||||||
| 2016年3月 | SGRAM ( GDDR5X ) | 8Gbit | MT58K256M32JA | ミクロン | 20nm | CMOS | 140mm2 _ |
| 2016年6月 | HBM2 | 32Gbit | サムスン | 20nm | CMOS | ||
| 2017年 | HBM2 | 64ギガビット | サムスン | 20nm | CMOS | ||
| 2018年1月 | SGRAM ( GDDR6 ) | 16Gbit | K4ZAF325BM | サムスン | 10nm | FinFET | 225mm2 _ |
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