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| 用語 | 関連 |
| TBW | ストレージ |
| TCP/IP | ネットワーク |
| TDP | エネルギー |
| TFX電源 | 電源 |
| TGP/TBP | GPU |
| Thunderbolt | インターフェース |
| Thunderbolt 2 | インターフェース |
| Thunderbolt 3 | インターフェース |
| TiB | 単位 |
| TLC | ストレージ |
| TMR | ストレージ |
| TN | ディスプレイ |
| Toggle DDR | メモリ |
| Tri-Gate | CPU |
| Trinity | CPU |
| Trim | ストレージ |
| TSV | 半導体 |
| Turbo CORE 3.0 Technology | CPU |
TBW（Total(Tera) Bytes Written）ティービーダブリュ
総書き込み量。SSDにおいて、メーカーが保証する記録可能な総データ量を指します。Tera Bytes Writtenとも。
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TCP/IP（Transmission Control Protocol / Internet Protocol）ティーシーピーアイピー
インターネットで使われているプロトコル。ネットワーク上の機器の住所付けを行なうIPと、プロトコルの橋渡しをするTCPからなる。WindowsやMacintosh、UNIX、汎用機などもTCP/IPが扱えるため、異機種相互接続としての実績も高い。
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TDP（Thermal Design Power）ティーディーピー
熱設計消費電力。設計時の放熱対策の目安となる、デバイスの放熱量。機器を設計する際には、デバイス接合部の温度上昇が指定された許容値(thermal junction specification)を超えないように、放熱対策を施さなければならない。そのための目安となる放熱量が熱設計消費電力で、単位をW(ワット)で表わします。
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TFX電源
SFXよりもさらに小さいスリムタイプの電源ユニット。Low Profile対応のmicro ATXケースなどに使われています。サイズ(W×D×H)は85×175×65mm。TFは「Thin Form Factor」を意味します。
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TGP/TBP（Total Graphic Power / Typical Board Power）ティジーピー/ティビーピー
主に、ビデオカードの消費電力の指標となるスペック。GPU単体のTDP(Thermal Design Power)ではなく、ビデオカード全体の消費電力を指します。NVIDIA(GeForce)の仕様表では「Graphics Card Power」(グラフィックスカード電力)と表記していますが、TGPのことを「TDP」と表記していることも。
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AMD(Radeon)ではTBPはカード全体、TDPはGPU単体の指標としています。
Thunderboltサンダーボルト
AppleとIntelが共同開発した汎用インターフェース規格。2011年発売のMacbookProで初めて導入される。Intelが開発を推進してきた「LightPeak」(開発コードネーム)をベースにしています。
「LightPeak」とは
Light Peakは当初光ファイバーの使用を前提に開発が進められ、銅配線も想定されており、Thunderboltは銅配線のインターフェースです。1チャンネルあたり双方向10Gbpsのチャンネル2本で構成されており、PCIExpressとDisplayPortのプロトコルを混在させて伝送することができます。
周辺機器を数珠つなぎのように連結させるデイジーチェーン接続に対応している(最大6台)。コネクタはDisplayPortの20ピンミニコネクタ(MiniDisplayPortConnector)を使用しており、DisplayPortと下位互換性を持っている。ケーブル長は3mまで、最大10Wのバスパワー給電に対応。
Thunderbolt2サンダーボルトツー
最大転送速度20Gbpsに対応する外部インターフェース規格。コネクタ形状は初代Thunderbolt Mini Display Port形状。
Thunderbolt3サンダーボルトスリー
最大転送速度40Gbpsに対応する外部インターフェース規格。Thundrbolt2との下位互換性を有していますが、コネクタ形状は変更されてUSBType-Cと同型状に。
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現行のMacの大部分に採用されているほか、自作PC用のマザーボードでもクリエイター向けモデルを中心に採用例が少しずつ増えています。同じコネクタ形状でUSB4もサポートするThunderbolt4も発表されています。
TiB（Tebi Byte）ティビバイト
コンピュータ関連のデータ量を表わす際に使われる単位。10の12乗1,000,000,000,000)であるT(Tera)Bに対して1TiBは2の40乗(=1,099,511,627,776)Bを表わします。
TLC（Triple-Level Cell）ティーエルシー
NAND型フラッシュメモリの種類の一つ。一つのセルに3bitのデータを保存することができる。書き換え可能回数の面ではMLCよりも不利。
TMR（Tunnel(ing) Magneto Resistance）ティーエムアール
トンネル磁気抵抗。絶縁層で隔てた2枚の強磁体に電圧をかけると、磁性体層の磁化の向きによって、絶縁層を通り抜けるトンネル電流が変化する現象。高密度HDDなどで利用します。
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TN（Twisted Nematic）ティーエヌ
液晶パネルの種類の一つ。TN型はもっとも基本的な構造の液晶パネル。各画素において液晶分子を光源側と表示面側の二つの電極でサンドイッチしたような構造を採り、この奥行き方向に配置した電極で電界を発生させ、液晶分子をねじれ方向に配向制御することで光の透過制御を行ないます。
この原理からTwisted Nematicという方式名が付けられています。
原理的に斜め方向の光漏れが避けられないことから視野角が狭めという弱点があり、一方で低コストであるほか、応答速度の面でもメリットがあるため、ゲーミング液晶ディスプレイでも採用例が多い。
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Toggle DDRトグルディーディーアール
東芝とSamsungが共同で策定したNAND型フラッシュメモリのインターフェース仕様。DRAMでも一般的に利用されているDDR(Double Data Rate)をベースとした技術で、クロック信号(基準信号)の立ち上がりと立ち下がりのそれぞれでデータのやり取りを行ない、データ転送速度を高速化した同期インターフェース技術。
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Toggle DDR1.0で133Mbps、最新のToggle DDR2.0で400Mbpsの転送速度を実現しており、ONFIでもほぼ同様のインターフェース仕様を策定しており、ONFI 3.0では、Toggle DDR 2.0と同じ400Mbpsの転送速度を実現しています。
Tri-Gateトランジスタ トライゲートトランジスタ
Intelが世界に先駆けて開発した3D構造のトランジスタ。従来のプレーナ型トランジスタでは、シリコン基板上にゲートを設け、その両側をソース/ドレイン(電流の送信側/受信側)とする構造であり、電流の通り道であるチャンネルは平面のまま、その距離を縮めてきた。
Tri-Gateトランジスタではシリコン基板上にソース/ドレインとゲートを立体的にかみ合わせたような構造を採ることで、ゲートとチャンネルを3面設けて電流を流れやすくしています。
これまでよりも大幅に低い電圧で、かつ高速に電流のON/OFFを制御できるようになり、アクティブ電流(チャンネルに電流が流れている状態の電流)を大きく低減。構造上チャンネルをシリコン基板から切り離すことができるためリーク電流(シリコン基板を通じてソースからドレインに漏れる電流)の抑制にも大きな効果があり、オフステート時の電力も大幅に低減できます。
Trinityトリニティ
第2世代CPUコアのPiledriverを採用したAMDの第2世代AシリーズAPU(GPU統合型CPU)の開発コードネーム。ノートPC向けラインナップが2012年5月15日に、デスクトップPC向けラインナップは2012年10月2日に発表されました。
Trimトリム
不要になった論理ブロック(論理アドレス)の情報をSSDなどのデバイスにOSが通知するコマンド。
Trimは、ATA8-ACS2で規定されたSSD向けのコマンドで、正式には「Data Set Management Commands」。
具体的には、OS上から完全に削除されたデータなど、物理消去を行なっても問題のないデータの情報を送るコマンドで、WindowsではWindows7以降で対応。SSDは受け取った情報をガーベージコレクションなどに活用し、これによって性能低下の防止や寿命の延長などに役立てることができます。
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Trimはあくまで情報を通知するだけの機能で、SSD側の処理までは規定されていません。
TSV（Through Silicon Via）ティーエスブイ
シリコン製半導体チップの実装技術の一つ。パッケージ内に複数枚のチップを重ねて封入する際に、チップに垂直に穴をあけてその穴に金属を埋め込み、上下のチップを接続する電極として利用するというもの。
従来は重ねたチップの端をワイヤ・ボンディングすることで接続を行なっていましたが、結線部分の確保のためにパッケージサイズがチップサイズよりも一回り大きくなる上、各チップ間にチップを実装するインターポーザーを配置しなければならないという欠点がありました。
しかし、シリコン貫通電極では、チップ内に直接配線を通すため、より複雑な配線も容易に取り回せて短絡の可能性が低く、ノイズの影響も受けにくい。さらに、インターポーザーや結線部分が不要なのでパッケージサイズの微小化も実現できます。
Turbo CORE 3.0 Technology（Intel Turbo Boost Technology）
CPUの負荷に応じてコアの動作クロックを安全な範囲内で調整し、高速に処理する「Turbo CORE Technology」の3世代目となる機能。
Phenom II X6シリーズから導入された初代の機能は少数のコア(全コアの半数以下)に負荷が偏っている場合にクロックを向上させるにとどまっていましたが、FXシリーズから導入された2世代目の機能では全コアに負荷がかかっている状態でもクロックが上昇するようになる。
3世代目では、CPUコアのクロックに加えて、GPUコアのクロックも負荷に応じて動的に向上させることができるようになる。
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