中国における半導体の歴史
中国における半導体の歴史を、時代ごとの流れと代表的な企業・政策を交えて詳しく解説します。
✅ 中国半導体の歴史（1950年代～2025年）
🏛 1950年代〜1970年代 社会主義体制下の萌芽期
| 特徴 | 内容 |
|---|---|
| 背景 | ソ連の影響下で計画経済・自主技術志向の中、半導体製造がスタート |
| 主な施設 | 738廠（華晶）、華南の中小工場などでゲルマニウムトランジスタを製造 |
| 技術水準 | 5〜10年遅れの模倣開発中心。ほぼすべてが民間転用不可能な軍需向け |
| 政策 | 科学アカデミーや軍直轄の研究機関に依存 |
💡 1980〜1990年代 改革開放と「外資依存期」
| 特徴 | 内容 |
|---|---|
| 外資導入 | NEC、日立、Motorolaなどが現地合弁設立 |
| 代表企業 | 上海広電（SMICの前身）、中芯国際、華虹NECなど |
| 製造能力 | 0.35μm〜0.18μmラインがようやく立ち上がる |
| 限界 | 先端技術・設計ノウハウは輸入依存、EDAや装置は完全に海外製 |
🚀 2000〜2010年代 国家主導による基盤構築
| 特徴 | 内容 |
|---|---|
| 「909プロジェクト」 | 1995年：国家高技術研究発展計画により、中芯国際（SMIC）創設のきっかけに |
| ファブ建設 | 上海、無錫、西安、成都などに最先端対応のファブを集中整備 |
| 設計企業の登場 | 海思半導体（Huawei HiSilicon）、展訊（Spreadtrum）、中興微電子など |
| 補助制度 | 税制優遇＋ファブ新設への無利子融資＋地方政府補助金 |
| 問題点 | 歩留まり・装置の老朽化・技術流出依存が慢性課題 |
🧠 2015〜2020年代前半 国家安全戦略としての半導体
| 戦略政策 | 内容 |
|---|---|
| 「中国製造2025」 | 半導体を「国家重点分野」に指定。2030年に自給率70％を目標 |
| 国家集成電路基金（大基金） | 2014年設立。兆元単位の政府資金がSMIC・長江存儲などに流れる |
| Huawei制裁（2019〜） | 米国によるエンティティリスト指定が自立加速の引き金に |
| 国内EDA開発 | 華大九天、芯華章などが登場。Synopsys代替を狙う |
⚙ 2020年代後半〜現在（2025年） 独自技術への転換期
| トピック | 内容 |
|---|---|
| SMICの7nm製造 | EUVなしで7nmチップの量産に成功（Huawei Mate60などに採用） |
| 長江存儲（YMTC）の躍進 | NAND技術で128層→232層へ到達。Micronに迫る水準 |
| 製造装置・材料の国産化 | 北方華創（NAURA）、中微公司（AMEC）がエッチング装置で台頭 |
| AIチップの内製 | Ascend、Biren、Alibabaの「含光」など、A100代替製品を内製化 |
| 封止パッケージの自立 | 長電科技（JCET）、通富微電などが先端パッケージング（FOWLP）に投資 |
🏁 総まとめ 技術的独立へ――課題と展望
| 分野 | 現状 | 今後の課題 |
|---|---|---|
| 設計（ファブレス） | 世界5位圏（Huawei、UNISOC等） | IP不足、EDA依存の脱却 |
| 製造（ファウンドリ） | SMIC・華虹が健闘 | EUV依存の克服、高歩留まりの確保 |
| メモリ | YMTCがNANDで躍進 | DRAM分野は依然Micron/SK主導 |
| 製造装置 | NAURA・AMECが急成長中 | リソグラフィ・測定装置が未熟 |
| 材料・化学品 | 一部で国産化進む | 高純度・高信頼性の量産が課題 |
🎯 まとめ 追う者から創る者へ――中国半導体の大転換期
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