RCラジコン

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RCの過放電防止機能(LVC: Low Voltage Cutoff)の歴史

RCの過放電防止機能(LVC: Low Voltage Cutoff)の歴史RCの過放電防止機能(LVC: Low Voltage Cutoff)は、特にLiPoバッテリー普及期以降に大きく発展した重要な機能です。 歴史を年代順にまとめると...
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F/B/R統合ESCの内部Hブリッジの詳細図

F/B/R統合ESCの内部Hブリッジの詳細図F/B/R統合ESCの内部Hブリッジを、MOSFET・ゲート信号・ブレーキ動作・電流検出まで含めて詳細図をご紹介します。 (前提 Nch×4のフルブリッジ、マイコン制御、センサーレス/センサード両...
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RCカー 前進・ブレーキ・後進(F/B/R)の統合(1990年代後半)

RCカー 前進・ブレーキ・後進(F/B/R)の統合(1990年代後半) RCカー用ESCの歴史の中で重要な転換期です。 1990年代後半に「前進・ブレーキ・後進(F/B/R)」を1つのESCで統合する技術が広まり、オフロードからツーリングカ...
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RC ESCに搭載されたMOSFETの進化

RC ESCに搭載されたMOSFETの進化RC ESCに搭載されたMOSFETの進化を、年代別・Rds(on)推移・代表型番とともにご紹介します。ESC業界の小型化・高効率化の歴史がわかる内容にしました。RC ESCにおけるMOSFET進化...
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低Rds(on)‐MOSFETの高効率・低発熱・高出力化に不可欠な特性

低Rds(on)‐MOSFETの高効率・低発熱・高出力化に不可欠な特性低Rds(on)とは、MOSFETがON状態のときのドレイン–ソース間抵抗(Rds(on))が低いことを指します。 これはMOSFETの性能を表す重要な指標で、特に大電流...
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MOSFET‐電子の高速道路を開通させるゲートキーパー

MOSFET‐電子の高速道路を開通させるゲートキーパーMOSFETとは、金属酸化膜半導体型電界効果トランジスタ(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor)の略で、電子回路で電力の制御...
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MOSFET性能向上で低RDS(on)、高効率化

MOSFET性能向上で低RDS(on)、高効率化MOSFETの性能向上は、RC ESC(特にBEC内蔵型)やパワーエレクトロニクス全般で低Rds(on)化と高効率化を大きく前進させました。特に1990年代後半〜2000年代前半は、この進化が...
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ESC内蔵BECのリニア方式とスイッチング方式(降圧 Buck)内部ブロック~主要部品まで回路図

ESC内蔵BECのリニア方式とスイッチング方式(降圧 Buck)内部ブロック~主要部品まで回路図ESC内蔵BECのリニア方式とスイッチング方式(降圧 Buck)を、内部ブロック~主要部品まで回路図で示します。全体像(ESC+BECの関係) ...
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ESC内でバッテリー電圧を6V程度に降圧して受信機とサーボへ供給

ESC内でバッテリー電圧を6V程度に降圧して受信機とサーボへ供給 その部分はまさにBEC(Battery Eliminator Circuit)の役割で、ESC内部で走行用バッテリーの高電圧(例 7.2V〜11.1V)を約6Vに降圧し、受信...
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「BECやESCの1990年代における小型・軽量化と低オン抵抗化」の流れ

「BECやESCの1990年代における小型・軽量化と低オン抵抗化」の流れ「BECやESCの1990年代における小型・軽量化と低オン抵抗化」の流れです。。 この時代はMOSFETの進化とパッケージ技術の改善により、電動RCの性能が大幅に底上げ...
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