FutabaのMCシリーズ 回路構成図（MOSFET数・Hブリッジ形式）Futaba MCシリーズ主要モデルごとに、MOSFET数とHブリッジ構成の内部回路を簡易ASCIIで示し、技術進化がわかるようにご紹介します。📜 Futaba MCシ...

FutabaのMCシリーズ（電動RCカー用ESC）の歴史FutabaのMCシリーズ（電動RCカー用ESC）は1980年代後半から現在まで続く長寿ブランドで、モデルごとに対応バッテリー・MOSFET構成・機能が進化してきました。 以下は私の知...

RCの過放電防止機能（LVC: Low Voltage Cutoff）の歴史RCの過放電防止機能（LVC: Low Voltage Cutoff）は、特にLiPoバッテリー普及期以降に大きく発展した重要な機能です。 歴史を年代順にまとめると...

F/B/R統合ESCの内部Hブリッジの詳細図F/B/R統合ESCの内部Hブリッジを、MOSFET・ゲート信号・ブレーキ動作・電流検出まで含めて詳細図をご紹介します。 （前提 Nch×4のフルブリッジ、マイコン制御、センサーレス/センサード両...

RCカー 前進・ブレーキ・後進（F/B/R）の統合（1990年代後半） RCカー用ESCの歴史の中で重要な転換期です。 1990年代後半に「前進・ブレーキ・後進（F/B/R）」を1つのESCで統合する技術が広まり、オフロードからツーリングカ...

RC ESCに搭載されたMOSFETの進化RC ESCに搭載されたMOSFETの進化を、年代別・Rds(on)推移・代表型番とともにご紹介します。ESC業界の小型化・高効率化の歴史がわかる内容にしました。RC ESCにおけるMOSFET進化...

低Rds(on)‐MOSFETの高効率・低発熱・高出力化に不可欠な特性低Rds(on)とは、MOSFETがON状態のときのドレイン–ソース間抵抗（Rds(on)）が低いことを指します。 これはMOSFETの性能を表す重要な指標で、特に大電流...

MOSFET‐電子の高速道路を開通させるゲートキーパーMOSFETとは、金属酸化膜半導体型電界効果トランジスタ（Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor）の略で、電子回路で電力の制御...

MOSFET性能向上で低RDS(on)、高効率化MOSFETの性能向上は、RC ESC（特にBEC内蔵型）やパワーエレクトロニクス全般で低Rds(on)化と高効率化を大きく前進させました。特に1990年代後半〜2000年代前半は、この進化が...

ESC内蔵BECのリニア方式とスイッチング方式（降圧 Buck）内部ブロック～主要部品まで回路図ESC内蔵BECのリニア方式とスイッチング方式（降圧 Buck）を、内部ブロック～主要部品まで回路図で示します。全体像（ESC＋BECの関係） ...